唯美地半导体申请双向开关MOSFET器件及其制造方法专利，满足双向开关需求且导通电阻较小
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2025-12-09 16:41:37
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国家知识产权局信息显示，杭州唯美地半导体有限公司申请一项名为“一种双向开关MOSFET器件及其制造方法”的专利，公开号CN121099643A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种双向开关MOSFET器件及其制造方法。本发明的器件具有两个漏极，在双向导通模式下，两个MOSFET的栅极同时施加足够的驱动电压，沟槽底部沟道形成，一个漏极接高电位，另一个漏极接低电位，电子从一个漏极出发流经N阱、沟道区、沟槽另一侧N阱区，最后回到另一个漏极。反向开启只需要两个漏极电位反接，电子流经路径与正向相反。双向阻断模式下，两个MOSFET的栅极施加低电平，无沟道形成且两个MOSFET的体二极管方向相反，电流无法导通，形成双向阻断状态。本发明既满足了双向开关需求并且导通电阻又比较小，拓宽了器件的应用范围及集成度。
天眼查资料显示，杭州唯美地半导体有限公司，成立于2021年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2486.8395万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州唯美地半导体有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息7条。
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来源：市场资讯
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