国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利,公开号CN121600984A,申请日期为2025年6月。
专利摘要显示,本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置可以包括:列开关,其将全局位线电连接到位线或将全局位线与位线电断开;行开关,其将全局字线电连接到字线或将全局字线与字线电断开;以及存储单元,电连接在位线和字线之间。在写操作期间,列开关的导通程度和行开关的导通程度中的一个或两个可以被改变。
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来源:市场资讯