国家知识产权局信息显示,长春长光圆辰微电子技术有限公司申请一项名为“一种用于降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法”的专利,公开号CN121218614A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本申请涉及半导体技术领域,本申请提供一种用于降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法,其特征在于,包括:提供一半导体衬底,并在半导体衬底上形成一外延层;在所述外延层上形成沟槽,所述沟槽具有侧壁和底部;在所述沟槽的侧壁和底部形成梯度掺杂P型柱;在形成有所述梯度掺杂P型柱的沟槽内形成介质层;以及用导电材料填充所述沟槽。本申请通过动态优化沟槽的离子注入工艺,达到了精确制造梯度掺杂P型柱,从而显著降低TMBS器件开关噪声的效果。
天眼查资料显示,长春长光圆辰微电子技术有限公司,成立于2016年,位于长春市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41000万人民币。通过天眼查大数据分析,长春长光圆辰微电子技术有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目25次,财产线索方面有商标信息26条,专利信息68条,此外企业还拥有行政许可7个。
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来源:市场资讯