东微半导体申请半导体超结功率器件专利，改善超结功率器件在开关时的栅极电压震荡
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2026-01-01 18:14:54
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国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“半导体超结功率器件”的专利，公开号CN121240495A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体超结功率器件，包括：n型半导体层；位于所述n型半导体层底部的n型漏区；位于所述n半导体层内的若干个依次排列的p型柱；位于所述n型半导体层的顶部且位于所述p型柱上方的第一p型体区，所述第一p型体区内设有n型源区；相邻的所述第一p型体区之间设有至少一个栅沟槽，所述栅沟槽凹陷在所述n型半导体层内，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅电极；位于所述n型半导体层内且位于所述栅沟槽下方的n型掺杂区。通过在栅沟槽下方形成n型掺杂区，能够使得小漏源电压下的栅漏电容增大，改善超结功率器件在开关时的栅极电压震荡。
天眼查资料显示，苏州东微半导体股份有限公司，成立于2008年，位于苏州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本12253.1446万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目17次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息155条，此外企业还拥有行政许可9个。
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来源：市场资讯
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