中科华艺申请高效转换的MOSFET封装结构专利，提高MOSFET的开关效率
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2025-11-28 19:38:04
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国家知识产权局信息显示，中科华艺（天津）科技有限公司申请一项名为“一种高效转换的MOSFET封装结构”的专利，公开号CN121035092A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明提供了一种高效转换的MOSFET封装结构，包括基岛，其一侧向外延伸出管脚，另一侧设有栅极、控制模块管脚组和源极管脚。MOSFET固设于基岛上，各个焊窗与相对应的管脚连接；ASIC芯片与绝基岛绝缘固接，ASIC信号输出引脚与MOSFET栅极焊窗连接，ASIC供电引脚与控制模块管脚组连接，信号输入引脚与栅极管脚连接。本发明采用ASIC芯片和MOSFET设置在一个封装体内，外部信号到ASIC芯片后，通过ASIC芯片对MOSFET栅极信号进行控制，提供理想信号电压，缩短MOSFET寄生电容充电时间，令MOSFET能在更短的时间内变化通断状态，提高MOSFET的开关效率，降低器件损耗。
天眼查资料显示，中科华艺（天津）科技有限公司，成立于2018年，位于天津市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本2164.5021万人民币。通过天眼查大数据分析，中科华艺（天津）科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可3个。
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