意法半导体申请过压和过流保护开关专利，提供过压和过流保护
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2026-03-12 01:08:03
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“保护开关”的专利，公开号CN121643708A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开涉及保护开关。更具体而言，涉及一种过压和过流保护开关，所述过压和过流保护开关包括：第一NMOS型晶体管，所述第一NMOS型晶体管适于跨其导电端子接收第一电压；第二NMOS型晶体管，所述第二NMOS型晶体管包括耦合至所述第一晶体管的源极端子的源极端子，且适于跨其导电端子接收小于所述第一电压的第二电压；以及第三NMOS型晶体管，所述第三NMOS型晶体管包括耦合至所述第一晶体管的源极端子的源极端子，且适于跨其导电端子接收所述第二电压。
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来源：市场资讯
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