龙腾半导体申请降低开关损耗的SGT MOSFET器件专利，减小栅源电容
创始人
2026-01-31 14:51:14
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国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种降低开关损耗的SGT MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121419288A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种降低开关损耗的SGT MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：N型衬底，以及位于衬底一侧表面的N型外延层；形成于N型外延层中的沟槽结构；沟槽结构包括：覆盖其下部侧壁内表面的场氧化层、覆盖其上部侧壁内表面的栅氧化层、位于沟槽结构下部的屏蔽栅极、位于沟槽结构上部的控制栅极以及位于屏蔽栅极和控制栅极之间的栅源绝缘层；环绕沟槽结构的P型体区以及位于P型体区顶部的N+源区；依次位于N型外延层远离衬底一侧表面的绝缘层和金属层，以及贯穿绝缘层的欧姆接触孔；位于衬底远离N型外延层一侧表面的漏极。本发明通过对屏蔽栅极和控制栅极进行设计，减小栅源电容。
天眼查资料显示，龙腾半导体股份有限公司，成立于2009年，位于西安市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本16126.1111万人民币。通过天眼查大数据分析，龙腾半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息167条，此外企业还拥有行政许可6个。
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来源：市场资讯
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